[发明专利]RC IGBT和制造RC IGBT的方法在审
| 申请号： | 202210619880.5 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN115440801A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | F·D·普菲尔施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L29/861;H01L27/07;H01L21/82;H01L21/28;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | RC IGBT包括：有源区，具有IGBT区段以及与IGBT区段分开的二极管区段；半导体本体，形成有源区的部分并且具有第一侧和第二侧；在第一侧处的第一负载端子和在第二侧处的第二负载端子；在第一侧处的控制端子，其中，控制端子与半导体本体电绝缘并且包括在有源区中与二极管区段横向重叠的控制端子指状物。RC IGBT还包括沿着垂直方向延伸到半导体本体中的多个控制沟槽。每个控制沟槽具有：控制沟槽电极，电连接到控制端子并且被配置成控制IGBT区段中的第一负载端子与第二负载端子之间的负载电流。多个控制沟槽中的至少一个延伸到IGBT区段和二极管区段中。至少基于在二极管区段中布置成与控制端子指状物接触的导电构件，建立控制沟槽电极与控制端子之间的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | rc igbt 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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