[发明专利]一种栅极氧化层的制造方法在审
| 申请号： | 202210611008.6 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115036211A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 袁野;易九鹏;郑红应;海志武 | 申请（专利权）人： | 湖南楚微半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极氧化层的制造方法，该制造方法包括：对硅基栅极结构的沟槽进行清洗；依次进行第一次干氧氧化、湿氧氧化和第二次干氧氧化，在沟槽表面形成氧化层；对氧化层进行热退火处理。本发明中，通过清洗，可以有效去除沟槽栅极结构表面的污染物，以及增加沟槽栅极结构表面的平坦度，在此基础上，通过依次进行第一次干氧氧化、湿氧氧化和第二次干氧氧化，在沟槽表面形成氧化层，进而对氧化层进行热退火处理，即可获得高质量的栅极氧化层。本发明制造方法，不仅能显著改善沟槽栅极结构表面的洁净度和平坦度，较大程度提高产品良率，而且在栅极氧化层能够满足栅极器件性能的同时，可以进一步缩短工艺时间，有利于提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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