[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202210610853.1 | 申请日： | 2022-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN114695612B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 谢志文;张铭信;陈铭胜 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法，外延结构包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性依次层叠的多个量子阱层及量子垒层；所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第二量子垒层包括交替生长的多个第一子层及第二子层，所述第一子层与所述量子阱层接触，所述第二子层或所述第一子层与所述P型AlGaN电子阻挡层接触。本发明第二量子垒层中第一子层Al |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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