[发明专利]一种高导热氮化硅陶瓷基片的制备方法有效
| 申请号： | 202210605665.X | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115028460B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张景贤;段于森;吴炜炜 | 申请（专利权）人： | 浙江多面体新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/591;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 313023 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷基片的制备方法，包括：（1）以硅粉/氮化硅粉体作为原料，与烧结助剂混合后，得到混合粉体；（2）将所得混合粉体分散在含有分散剂的溶剂中，再加入粘结剂和塑性剂并混合，得到混合浆料；（3）将所得混合浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉体；（4）将所得造粒粉体装入干袋式等静压机的模具并放入干袋式等静压机中压制成型，再经脱模，得到基片素坯；（5）将脱模后的基片素坯进行烘干、真空脱粘、氮化处理和烧结，得到所述高导热氮化硅陶瓷基片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导热 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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