[发明专利]一种用直拉法生长准矩形柱体单晶硅的装置和工艺方法有效

专利信息
申请号: 202210575449.5 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN114941171B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 王培业;吴超慧 申请(专利权)人: 宇泽半导体(云南)有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/26;C30B29/06
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 张玺
地址: 675000 云南省楚雄彝族*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及单晶硅制备技术领域,具体地说,涉及一种用直拉法生长准矩形柱体单晶硅的装置和工艺方法。包括炉室、承载硅溶体的石英内坩埚、承载石英内坩埚的支撑外坩埚、坩埚加热器、隔热装置、单晶硅提拉装置、坩埚升降装置及真空和惰性气体保证系统。本发明设计的装置可以采用直拉法直接拉制出准矩形截面的单晶硅棒,具有节能、生产效率高、有害杂质和氧污染低的优点;其工艺方法流程简单、操作方便、简化,可以快速、准确地拉制高质量的准矩形单晶硅棒,有助于降低光伏电池成本、提高光伏电池光电转换效率。
搜索关键词: 一种 用直拉法 生长 矩形 柱体 单晶硅 装置 工艺 方法
【主权项】:
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