[发明专利]一种钼合金管靶材的制备方法、钼合金管靶材和用途在审
| 申请号： | 202210565049.6 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114939661A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 王广达;熊宁;弓艳飞;牛曼;季鹏飞;杨亚杰;王凤权;刘洁;李强;蔡立辉 | 申请（专利权）人： | 安泰天龙（北京）钨钼科技有限公司;安泰天龙钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F5/12 | 分类号： | B22F5/12;B22F3/04;B22F3/15;B22F3/20;B22F3/16;B22F3/24;C22C27/04;C22C1/04;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 荣红颖;刘春成 |
| 地址： | 100094 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种钼合金管靶材的制备方法、钼合金管靶材和用途，属于粉末冶金技术领域。该靶材是将原料粉末经冷等静压成型、包套、热等静压、挤压成型、退火等工序制备而成，本申请制备得到的靶材以质量百分比计，包括Ni：10～30％，Ti：5～25％，Re：0.5～5％，M：0‑15％，M为Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一种，其中M用于替代部分Ti，余量为Mo和不可避免的杂质，Mo在钼合金管靶材中的质量百分比含量不低于50％。本申请方法制备的靶材塑韧性好，变形能力较好，晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀，可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层，用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金管 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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