[发明专利]红外LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210555718.1 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115000257A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王亚宏;李森林;廖寅生;薛龙;赖玉财;谢岚驰 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 卢云芊 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种红外LED外延结构及其制备方法，其中所述红外LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、n型半导体层、多量子阱层以及p型半导体层，所述多量子阱层是由非掺势阱层、非掺势垒过渡层以及掺杂势垒层交替层叠而成的周期性结构。本发明通过在非掺势阱层和掺杂势垒层之间引入非掺势垒过渡层，能够提高多量子阱层的晶体质量，而且通过掺杂势垒层能够提高多量子阱层的界面质量和组分均匀性，进而改善波长均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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