[发明专利]一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法在审

专利信息
申请号: 202210550326.6 申请日: 2022-05-20
公开(公告)号: CN114885108A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 李婷;何杰;张曼;杨靓;徐晚成;曹天骄;崔双韬;袁昕;刘晓轩;张凯 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H01L27/146
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 崔方方
地址: 710000 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法,包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元;对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号,将其传输至比较单元一输入端,DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器,将斜坡信号传输至比较单元另一输入端,斜坡信号大于输入信号时,比较单元产生翻转信号,寄存处理单元存储此时的数字码值,对其进行处理后,将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能,避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数,有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象,提升了温度敏感型图像传感器性能。
搜索关键词: 一种 功耗 cmos 图像传感器 结构 及其 实现 方法
【主权项】:
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