[发明专利]一种碳化硅单晶片的镀膜装置与镀膜方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅单晶片的镀膜装置，涉及晶片处理技术领域，镀膜装置包括镀膜箱体、惰性气体输入组件以及甲烷气体输入组件，所述镀膜箱体内侧设有镀膜空腔，用于对碳化硅单晶片进行镀膜处理；还包括定位机构，所述定位机构布设在镀膜空腔内，用于对晶片进行定位固定；喷气管以及喷气筒在定位机构周侧布设有多组，以对晶片全方位喷气镀膜处理，本发明还公开了一种碳化硅单晶片的镀膜方法，将待镀膜碳化硅晶片横置在两喷气筒间，当两侧第二喷气孔在喷射甲烷气体时，甲烷气体可以与碳化硅晶片上下表面均匀接触，使得甲烷气体在碳化硅晶片表面裂解形成碳膜，稳定性和均匀性更高。