[发明专利]一种倒装增强型GaN HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210535584.7 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114899234A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 王幸福;董泽鑫;林雨田 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/373;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 陈嘉乐 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装增强型GaN HEMT器件及其制备方法，倒装增强型GaN HEMT器件包括增强型GaN HEMT外延阵列、键合金属和目标衬底，目标衬底通过键合金属与增强型GaNHEMT外延阵列键合形成的倒装增强型GaN HEMT器件；能够将GaN HEMT阵列从刚性衬底释放出来，实现GaN HEMT外延薄膜的无损剥离；其释放了材料内部的应力，有效地避免了因缓冲层缺陷和衬底导电引起的垂直漏电问题，改善了GaN HEMT器件的稳定性能；同时能够实现增强型GaN HEMT的阵列转移，很大程度上缓解了器件的自热效应，能够获得非破坏性的高击穿电压，具有高频、高效、安全性高的特点，极大的拓宽了电子电力器件的应用范围。本发明可广泛应用于GaN HEMT器件技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 增强 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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