[发明专利]一种X波段带通的吸透一体频率选择表面结构有效
| 申请号： | 202210508086.3 | 申请日： | 2022-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN114614266B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 黄鑫;沈伦玉;王东俊;刘国栋 | 申请（专利权）人： | 成都飞机工业（集团）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 程余 |
| 地址： | 610092 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种X波段带通的吸透一体频率选择表面结构，属于通信技术领域。包括电阻损耗层、空气层和带通FSS传输层，所述电阻损耗层包括设置在介质基底层表面的六边形金属环贴片，该六边形金属环贴片的每个侧边的中心都向内凹进形成S型环电感器，在六边形金属环贴片的顶点处丝网印刷有一层钌电阻浆料，所述钌电阻浆料与六边形金属环贴片一同构成串联RLC电路，并同时与S型环电感器形成的等效LC并联谐振回路再串联。本发明的吸透一体频率选择表面结构能够在X波段实现宽带带通，并且在3‑11GHz频段实现较低的电磁波反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波段 一体 频率 选择 表面 结构 | ||
【主权项】：
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