[发明专利]一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H-SiC基VDMOS器件在审
| 申请号： | 202210506265.3 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114899219A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;周铸;许峰 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 方钟苑 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有屏蔽效应的超结P柱和N‑沟道的4H‑SiC基VDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括P+多晶硅漏极、N+衬底区、P柱屏蔽区、N柱区、P‑电场终止区、二氧化硅隔离层、P+多晶硅栅电极、P+多晶硅源电极Ⅰ、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区；其中P+多晶硅漏电极、N+衬底区、N柱区、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区组成器件的导电区；N柱区和P‑电场终止区组成器件的漂移区；P柱屏蔽区和N柱区组成器件的横向超结。本发明在传统4H‑SiC基VDMOS器件基础上，在垂直漂移区引入超结结构、整体非对称结构以及N‑沟道区，提高了器件的击穿电压，大幅降低了米勒电容和反馈电容，提升了器件的动态性能，降低了沟道电阻和比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 屏蔽 效应 沟道 sic vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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