[发明专利]磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法在审
| 申请号： | 202210506066.2 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114808130A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵兴凯;邱锋;权忠朝;韦华;叶晓达;柳旭;徐仁勇;刘文斌;韩家贤;王顺金;李国芳 | 申请（专利权）人： | 云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/04 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 多晶 vgf vb 生长 装料 方法 | ||
【主权项】：
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