[发明专利]一种校准值确定方法和半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202210490450.8 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114944352A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 钟晨玉;卫晶 | 申请（专利权）人： | 西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种校准值确定方法，应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括目标工艺腔室、上射频电源和下射频电源，目标工艺腔室中设置有用于承载晶圆的基座，上射频电源用于激发目标工艺腔室中的工艺气体形成等离子体，下射频电源用于向基座加载射频偏压，该方法包括：获取在预设工艺条件下，多个共同激励CEX锁相角度的预设值对应的等离子体偏压VDC的实测值；对预设值和实测值进行数据拟合，确定实测值随预设值变化的连续函数；根据连续函数，确定CEX锁相角度的校准值，校准值为在预设工艺条件下晶圆表面的VDC值最小时对应的CEX锁相角度值。根据本发明的实施例，可以提升校准值确定的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 校准 确定 方法 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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