[发明专利]一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法在审
| 申请号： | 202210482670.6 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN114664567A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘泳澎;陈桃桃;张小波;罗伟 | 申请（专利权）人： | 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/15 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 胡昌志 |
| 地址： | 526000 广东省肇庆*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及电容器技术领域，涉及一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，包括如下步骤：S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；S3、通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；S4、通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料。本发明能够在降低生产成本的情况下进一步降低晶片电容器ESR以及稳定回流焊时ESR值，并进一步提高了漏电流合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esr 晶片 电容器 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
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