[发明专利]定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法在审
| 申请号： | 202210477014.7 | 申请日： | 2022-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN114894838A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈凡;刘大鹏;赵容;李娟;陈龙;刘建设 | 申请（专利权）人： | 上海精密计量测试研究所 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20;G01N15/08 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 余岢 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距，定量确定焊料层孔隙的安全分布区域，剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件，保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件，减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废，提升NMOS晶体管的利用率，解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 定量 评估 nmos 晶体管 焊料 孔隙 安全 分布 区域 方法 | ||
【主权项】：
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