[发明专利]一种横向结构4H-碳化硅/β-氧化镓异质结高温日盲探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种横向结构4H‑碳化硅/β‑氧化镓异质结高温日盲探测器及其制备方法，包括：N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层和N型β‑Ga2O3功能层；所述N型β‑Ga2O3功能层的上部的两侧具有钝化插入层，所述钝化插入层的材料为PtOx；所述钝化插入层的厚度为2～10nm；所述钝化插入层上设置有金属电极；所述金属电极的材料为金属Pt；所述金属电极、所述钝化插入层和所述N型β‑Ga2O3功能层形成肖特基接触。本发明的探测器既能够实现高温探测功能，又能够具有较高的响应度。同时，插入钝化插入层能够增加势垒高度，抑制了由于高温环境恶化的暗电流，从而提升探测器的工作温度和响应度。本发明的制备方法还通过对N型β‑Ga2O3功能层使用氧等离子体预处理技术，以降低外延层内的缺陷。