[发明专利]一种铁电拓扑畴结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210407875.8 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114843398A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 田国;义鑫;高兴森 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 辜丹芸 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺区广州大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电拓扑畴结构的制备方法，其包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：在步骤S1制得的SRO底电极表面铺展单层PS小球作为掩模板，再用氧等离子体刻蚀处理，然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀，最后去除残留的单层PS小球掩模板，得到SRO纳米点阵列底电极；S3：选择BFO靶材，采用脉冲激光沉积法在步骤S2制得的SRO纳米点阵列底电极上沉积一层菱方相的BFO薄膜形成纳米点阵列，其为面外具有“十字形”缓冲畴的中心型拓扑畴结构，并且面内具有一个相反衬度的条带畴。本发明制得的铁电拓扑畴结构具有高密度、有序排列、调控方便等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 拓扑 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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