[发明专利]一种半超结快恢复二极管器件的制备工艺及结构在审
| 申请号： | 202210402421.1 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114823332A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王振婷;贺涛;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡森思功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙) 32515 | 代理人： | 顾翰林 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区清源路18号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半超结快恢复二极管器件的制备工艺及结构，其技术方案要点是：包括以下步骤：步骤A、缓冲层的制备；步骤B、耐压层的制备；步骤C、超结结构的制备；步骤D、电路链接层和钝化层的制备；步骤E、晶圆背面的制备。本发明所述器件的阳极的超结结构承受一部分耐压，在保持电荷平衡的同时，可以降低导通压降；本发明所述器件的超结结构较高的外延层浓度，可以降低正面的空穴注入效率，减少反向恢复电荷或者减少对寿命控制工程的依赖程度；本发明所述器件可以提高导通时候背面的空穴浓度，减少反向恢复时产生的电流尖峰，优化软度；本发明所述器件可以提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半超结快 恢复 二极管 器件 制备 工艺 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
