[发明专利]一种基于复合衬底的场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202210395533.9 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114823576A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郑伟;燕英强;凌云志;王垚;向迅;崔银花;何思亮;胡川;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/06;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李家平 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于复合衬底的场效应晶体管及其制作方法，场效应晶体管包括：基础衬底、复合衬底、单晶硅层、介电层、源极区域、漏极区域和栅极区域；基础衬底的表面依次层叠复合衬底、单晶硅层和介电层；复合衬底包括金刚石层和多晶硅层，金刚石层与基础衬底接触，多晶硅层与单晶硅层接触；单晶硅层的两端分别设置有源极掺杂区和漏极掺杂区，源极掺杂区的上方设有源极区域，漏极掺杂区的上方设有漏极区域；介电层设置在单晶硅层的表面；源极区域设置在源极掺杂区的上方的介质层，漏极区域设置在漏极掺杂区的上方的介质层，单晶硅层的未掺杂区的上方的介电层设置有栅极区域。本发明实施例中能够有效降低晶体管场效应管的工艺制造难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 衬底 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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