[发明专利]一种缺氮的亚氮化钛薄膜、其制备方法及其在制备单晶硅太阳能电池器件中的应用在审
| 申请号： | 202210387779.1 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114959605A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 马忠权;兰自轩;赵磊;王艺琳;徐飞 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种缺氮的亚氮化钛薄膜、其制备方法及其在制备单晶硅太阳能电池器件中的应用，将基底清洗干净；将基底放入样品架上，以纯Ti靶为原材料，采用直流反应磁控溅射制备工艺；在溅射过程中腔室内通入高纯N |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制备 方法 及其 单晶硅 太阳能电池 器件 中的 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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