[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片有效
| 申请号： | 202210381577.6 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114464709B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，该LED外延片包括N型掺杂复合层，所述N型掺杂复合层是由第一N型掺杂GaN层、未故意掺杂的超晶格层以及第二N型掺杂GaN层依次生长而成的结构，其中，所述第一N型掺杂GaN层和所述第二N型掺杂GaN层中掺杂有Si，所述第一N型掺杂GaN层中掺杂Si的浓度大于所述第二N型掺杂GaN层中掺杂Si的浓度，所述未故意掺杂的超晶格层为In |
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| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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