[发明专利]一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法在审
| 申请号： | 202210375650.9 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114744998A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 赵国平;李林霖 | 申请（专利权）人： | 四川师范大学 |
| 主分类号： | H03K19/18 | 分类号： | H03K19/18;H03K19/20 |
| 代理公司： | 成都知棋知识产权代理事务所(普通合伙) 51325 | 代理人： | 马超前 |
| 地址： | 610101 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法，逻辑门赛道的材料为合成反铁磁材料，其赛道从下到上依次布置重金属层、铁磁层、垫片、铁磁层，赛道左侧的两个磁性隧道结为合成反铁磁斯格明子的输入端A和输入端B，赛道右侧的两个磁性隧道结为合成反铁磁斯格明子的检测端C和检测端D。本发明可有效提升信息存储的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 合成 反铁磁斯格 明子 逻辑 控制 方法 | ||
【主权项】：
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