[发明专利]掺杂型硅基材料及其制备方法、应用

摘要

本发明涉及一种掺杂型硅基材料及其制备方法、应用。本发明的制备方法包括如下步骤：(1)硅基材料和原硅酸盐的混合物经加热后得到气体A，气体A在400‑1000℃下冷凝沉积，得到沉积物，其中，加热后体系的温度为800‑1500℃；硅基材料选自SiOx或经加热后能生成SiOx的硅源；(2)将沉积物在含碳源气体的气氛下进行气相沉积。本发明制备得到掺杂型硅基材料包括含硅基材料(Si、SiOx)及偏硅酸盐的复合物，复合物表面包覆一定厚度的碳沉积层。本发明的制备方法安全且硅晶粒尺寸可控，制得的掺杂型硅基材料应用于电池负极，可有效提升首次库伦效率和循环性能。