[发明专利]半导体制造装置用构件及半导体制造装置在审

专利信息
申请号: 202210355991.X 申请日: 2022-04-06
公开(公告)号: CN115223837A 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 中川龙之介;古贺达也 申请(专利权)人: TOTO株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李雪春;阎文君
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种半导体制造装置用构件及半导体制造装置,能够减少粒子的产生或影响。具体而言,本发明的半导体制造装置用构件具备复合构造物,该复合构造物包括:基材,包含第1面及与第1面相反侧的第2面;以及陶瓷层,包含被设置为在基材的第1面上露出的第1部分。复合构造物具有在从第1面朝向第2面的第1方向上延伸并贯穿基材和陶瓷层的通孔,通孔具有:第1孔区域,与第1部分的表面连续并相对于第1方向倾斜;第2孔区域,在第1方向上位于第2面与第1孔区域之间并沿着第1方向延伸;以及第3孔区域,在第1方向上位于第1孔区域与第2孔区域之间并相对于第1方向倾斜,第3孔区域的硬度高于第1孔区域的硬度。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 构件
【主权项】:
暂无信息
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