[发明专利]一种量子点及其制备方法和光电器件在审
| 申请号: | 202210347952.5 | 申请日: | 2022-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN116925740A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
| 发明(设计)人: | 葛剑超 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H10K50/115;H10K71/12;H10K71/15 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吴莉莉 |
| 地址: | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 本申请涉及显示技术领域,公开了一种量子点及其制备方法和光电器件。量子点包括核结构和壳结构,壳结构包覆核结构,核结构的材料选自CdSe、ZnCdSe中的至少一种,壳结构掺杂钼离子。通过对壳结构掺杂钼离子以得到量子点,一方面,钼离子可弥补壳结构包覆核结构所形成的核壳结构的空位缺陷,以释放由于空位缺陷造成的表面应力,另一方面,呈阳离子形态的钼离子可配位核壳结构裸露的阴离子,实现对裸露的阴离子的钝化,从而提高量子点的发光效率和稳定性,进而提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 量子 及其 制备 方法 光电 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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