[发明专利]微单元阵列和双边极板耦合空心阴极气相沉积装置与方法有效
申请号: | 202210334821.3 | 申请日: | 2022-03-31 |
公开(公告)号: | CN114645263B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 李成明;夏天;陈良贤;魏俊俊;刘金龙;郑宇亭;欧阳晓平 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/27;C23C16/52 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种微单元阵列和双边极板耦合空心阴极气相沉积装置与方法,属于半导体材料制备领域。具体包括极板一、极板二、极板三、进气口、抽气口、排气口、冷却水口、底座以及各极板对应的电源,其中极板一与电源一、极板二与电源二、极板三与电源三的负极连接,所有电源正极接地,另外极板一和极板三用于固定样品且均设置有循环冷却水。将基片固定在极板一、极板三上后关闭腔室,向腔室中通入氢气,随后调节电源输出电压,并通入甲烷气体,在极板上沉积大尺寸金刚石薄膜。该装置利用来自微单元阵列产生的空心阴极辉光和双边极板产生的空心阴极辉光耦合,促使气体分子剧烈离化,极大的提高气体离化效率,有利于实现快速、高效的沉积大面积金刚石散热板。 | ||
搜索关键词: | 单元 阵列 双边 极板 耦合 空心 阴极 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的