[发明专利]基于等离子体共振的晶体管及其制备方法、太赫兹探测器在审
| 申请号: | 202210329433.6 | 申请日: | 2022-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN114695575A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 徐友龙;侯文强;郑钦允 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/113;H01L31/18;B82Y30/00;G01J1/42;G02B5/00 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 范巍 |
| 地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 本发明公开的基于等离子体共振的晶体管及其制备方法、太赫兹探测器,将太赫兹天线与晶体管耦合,不仅可以通过调节天线和晶体管电极的集成方式来调节沟道处太赫兹感生电场的分布,还可以通过沟道处二维材料表面的金属纳米颗粒,利用表面等离子体共振原理,进一步的提高感生电场的场强,提高光响应电流。合理设计的天线尺寸可以耦合目标探测频率,沟道处选取迁移率高的二维材料,结合上述设计,协同工作,提高太赫兹探测器的探测性能。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 等离子体 共振 晶体管 及其 制备 方法 赫兹 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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