[发明专利]辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置在审
| 申请号： | 202210318430.2 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114676575A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 曾雉;刘俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/14;G06F111/10 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 闫客 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置，方法包括：获取退火所需的半导体中缺陷反应事件和参数列表；基于缺陷反映事件和参数列表，计算得到退火后的级联缺陷空间分布；基于退火后的级联缺陷空间分布，获取待模拟缺陷所在有效级联的半径和级联内缺陷平均浓度；以待模拟缺陷的半径和平均浓度，以及参数列表作为输入，求解改进后的基于SRH理论的速率方程，获取缺陷捕获载流子的动力学行为。本发明考虑级联缺陷的空间非均匀性和复杂的级联局域电势对载流子捕获的影响，采用更加真实的缺陷分布，严格求解出级联局域电势，尽可能做到不依赖或少依赖可调参数，准确模拟深能级缺陷捕获电子/空穴的动力学行为。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 半导体 载流子 捕获 动力学 模拟 方法 装置 | ||
【主权项】：
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