[发明专利]晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210317438.7 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114678340A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 魏丹珠;席韡;刘奇斌 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 200135 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件的制备方法，晶圆键合结构，包括依次层叠的键合载片、介质层、键合胶层以及待键合晶圆；其中，所述键合载片的材质与所述待键合晶圆的材质相同，所述介质层的材料与所述键合载片以及所述待键合晶圆的材料的折射率不同。上述的晶圆键合结构通过在键合载片上依次层叠的介质层和键合胶层，通过与待键合晶圆和键合载片的材料与介质层材料不同的折射率可以分辨出待键合晶圆和键合载片。利用上述晶圆键合结构既可以满足良好的键合效果，在后续进行一些如高温真空等离子体轰击或是高温退火等严苛的高温工艺条件下仍保持紧密且完整的键合，还可以有助于后续操作人员对于待键合晶圆厚度的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 结构 及其 形成 方法 以及 半导体器件 制备 | ||
【主权项】：
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