[发明专利]场效应晶体管在审
| 申请号： | 202210287681.9 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114664949A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/06;H01L21/34;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅;钱慰民 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新颖的场效应晶体管。在具有金属氧化物的场效应晶体管中，晶体管的沟道形成区域包含至少具有两个不同的能带宽的材料。该材料具有各为0.5nm以上且10nm以下的纳米尺寸的粒子。纳米尺寸的粒子以马赛克状分散或分布。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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