[发明专利]一种具有环形侧壁的高一致性忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210286847.5 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114665013A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 杨玉超;张腾;黄如;卜伟海;汪涵 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有环形侧壁的高一致性忆阻器及其制备方法。所述忆阻器包括衬底和位于衬底上的电极‑阻变层‑储氧层‑电极结构，其特征在于，所述储氧层带有环形侧壁，环形侧壁的材料相较于储氧层具有更高的电阻率。本发明通过常规CMOS工艺在功能层中形成环形侧壁，环形侧壁的存在能够在侧壁处阻断储氧层和周围氧化层之间的离子交换，从而提高储氧层氧空位浓度的一致性，进而改善器件的一致性。通过调整淀积的功能层材料厚度及合理控制环形侧壁的成分和宽度可以实现不同程度的改善效果，最终实现具有高一致性的忆阻器件。同时，本发明的器件具有低操作电压及制备工艺与传统CMOS工艺相兼容的优点，对于神经网络计算硬件的最终实现有着重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 环形 侧壁 一致性 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，未经北京大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210286847.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
