[发明专利]一种利用负热膨胀或巨热膨胀调控磁性层磁态实现信息存储的方法在审
| 申请号： | 202210271002.9 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114744107A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王聪;崔进;孙莹;史可文;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开的示例性实施例提供了一种利用负热膨胀或巨热膨胀调控磁性层磁态实现信息存储的方法。本发明提出了一种自旋电子器件可以包括依次堆叠的具有负热膨胀或巨热膨胀特性的膜层、磁性膜层或磁隧道结。为避免膜层之间相互干扰可在负热膨胀或巨热膨胀膜层与磁性层或磁隧道结之间插入缓冲层。其中，负热膨胀或巨热膨胀膜层在温度变化时会发生尺寸变化，该变化可产生界面应力调控磁性层磁态来产生磁电阻效应，因此该方法有望成为一种新型的磁存储技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 热膨胀 调控 磁性 层磁态 实现 信息 存储 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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