[发明专利]一种垂直GaN基沟槽场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202210268219.4 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114695123A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;黄正;刘潇;林峰;吴钧烨;黄双武;黎晓华;贺威 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/207;H01L23/34 |
| 代理公司： | 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 | 代理人： | 杨勇 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明实施例公开了一种垂直GaN基沟槽场效应晶体管的制备方法，包括：在双面抛光的n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长异质外延薄膜；在外延薄膜上进行刻蚀，形成垂直沟槽和垂直台面结构，并在垂直沟槽内蒸镀金属膜形成p体层电极；在垂直沟槽中的p体层电极区域以外的器件表面制备Al |
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| 搜索关键词： | 一种 垂直 gan 沟槽 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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