[发明专利]一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202210267283.0 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114725263A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 江灏;孙悦;卢家冰;吕泽升 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人： | 林伟斌;周业飞 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低阻高反射欧姆接触电极，包括p型半导体晶片，所述p型半导体晶片上沉积有金属电极层；还包括依次沉积于p型半导体晶片表面的第一金属银层、金属镍层、第二金属银层和金属铝层，所述第一金属银层与p型半导体晶片上的金属电极层接触。本发明还公开了一种低阻高反射欧姆接触电极的制备方法。本发明采用金属银‑金属镍‑金属银薄膜叠层形成低阻、高光透射的欧姆接触，并与铝膜结合，以制备欧姆接触电极，具有制备方法简单、电导率高、欧姆接触电阻率低、反射率高的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低阻高 反射 欧姆 接触 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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