[发明专利]一种基于范德华外延剥离的砷化镓太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 202210258630.3 | 申请日: | 2022-03-16 |
公开(公告)号: | CN114975680A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 施祥蕾;周丽华;孙利杰;王鑫;宋琳琳;杨慧;朱慧;王训春 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0445 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 贾慧琴;包姝晴 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于范德华外延剥离的砷化镓太阳电池及其制备方法,其制备方法包含以下工序:S1,在砷化镓太阳电池衬底表面制备二维材料,得到二维材料衬底;S2,采用两步生长退火法制备砷化镓过渡层;S3,将砷化镓太阳电池功能层生长到所述砷化镓过渡层表面,得到太阳电池外延层;S4,分别在所述太阳电池外延层和聚酰亚胺材料表面制备金属层;S5,利用键合技术进行键合,得到聚合物衬底;S6,对所述聚合物衬底施加机械力,进行剥离下来,得到聚合物衬底上的外延层;S7,在所述聚合物衬底上的外延层表面制备电极和减反射膜,切割,得到所需尺寸的砷化镓太阳电池。基于上述方法制备得到的砷化镓太阳电池大大避免了对外延层的损伤。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 范德华 外延 剥离 砷化镓 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间电源研究所,未经上海空间电源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210258630.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的