[发明专利]光电探测结构及光电集成芯片在审
申请号: | 202210230747.0 | 申请日: | 2022-03-10 |
公开(公告)号: | CN116779695A | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 曾治国 | 申请(专利权)人: | 苏州湃矽科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/105;H01L27/144 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 215127 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请公开了一种光电探测结构及光电集成芯片,其旨在通过在波导层的硅基部分内设置第一掺杂体和第二掺杂体以实现光电转换,其中,第一掺杂体包括多个第一指状电极,第二掺杂体包括多个第二指状电极,并且多个第一指状电极和多个第二指状电极以梳齿状互插的形式间隔排布,以构成波导区域,锗层位于波导区域之上并且与多个第一指状电极以及与多个第二指状电极接触,以有效提取出流入锗层内部的光电流,从而使得光电探测结构具有较高的灵敏度和响应度。 | ||
搜索关键词: | 光电 探测 结构 集成 芯片 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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