[发明专利]光电探测结构及光电集成芯片在审

专利信息
申请号: 202210230747.0 申请日: 2022-03-10
公开(公告)号: CN116779695A 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 曾治国 申请(专利权)人: 苏州湃矽科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/105;H01L27/144
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 黄威
地址: 215127 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请公开了一种光电探测结构及光电集成芯片,其旨在通过在波导层的硅基部分内设置第一掺杂体和第二掺杂体以实现光电转换,其中,第一掺杂体包括多个第一指状电极,第二掺杂体包括多个第二指状电极,并且多个第一指状电极和多个第二指状电极以梳齿状互插的形式间隔排布,以构成波导区域,锗层位于波导区域之上并且与多个第一指状电极以及与多个第二指状电极接触,以有效提取出流入锗层内部的光电流,从而使得光电探测结构具有较高的灵敏度和响应度。
搜索关键词: 光电 探测 结构 集成 芯片
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州湃矽科技有限公司,未经苏州湃矽科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210230747.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top