[发明专利]一种垂直串联结构高压芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202210210851.3 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN114709299A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;窦志珍;郭文辉;杨琪;胡家辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/14 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直串联结构高压芯片及其制作方法，所述方法包括：生长出PN区处均具有高掺杂层的多个外延片，其中外延片中靠近衬底的为第一高掺杂层，远离衬底的为第二高掺杂层；将外延片中第二高掺杂层与硅片进行临时键合；将临时键合后的外延片中的衬底进行去除至露出第一高掺杂层；将其中一衬底去除后的外延片与另一外延片进行等离子轰击活化，且将衬底去除后的外延片中第一高掺杂层与另一外延片中第二高掺杂层相对贴合，并放入键合机进行键合；将键合后的外延片解除临时键合；将解除临时键合后的外延片进行芯片制作工艺，直至制作完成得到高压芯片。本发明解决了现有高压芯片工艺要求高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 串联 结构 高压 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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