[发明专利]半导体排列及其形成方法在审
| 申请号： | 202210210501.7 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114822610A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王博昇;王茹毓;林洋绪;萧有呈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示文件提供一种半导体排列及其形成方法。半导体排列包含：包含数个位元格的一记忆体阵列，及用于存取该些位元格的一周边逻辑区块。该周边逻辑区块包含：具有一第一宽度的一第一纳米结构，该第一纳米结构用于提供电力至该周边逻辑区块的一第一逻辑单元；及一第二纳米结构，该第二纳米结构与该第一纳米结构轴向对准且具有小于该第一宽度的一第二宽度、用于提供电力至该周边逻辑区块的一第二逻辑单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 排列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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