[发明专利]晶片封装体及其制造方法

摘要

本发明提供晶片封装体及其制造方法，上述方法包括提供一基底，基底具有一上表面及一下表面，且具有一晶片区及围绕晶片区的一切割道区，基底的上表面上具有一介电层。形成于一掩膜层于基底上方，以覆盖介电层，其中掩膜层具有一第一开口露出介电层并沿切割道区延伸方向延伸而围绕晶片区。对第一开口正下方的介电层进行一蚀刻制程，以在介电层内形成一第二开口位于第一开口正下方。去除掩膜层以露出具有第二开口的介电层，以及经由第二开口对基底进行一切割制程。由此，可防止预切割制程期间介电层因机械或热应力而产生碎片、破裂或其他类型的缺陷。