[发明专利]一种半导体衬底层的处理方法、太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体衬底层的处理方法、太阳能电池及其制备方法。所述半导体衬底层的处理方法包括：提供初始半导体衬底层；在所述初始半导体衬底层表面进行激光点阵列扫描，形成均匀排布的若干个微损伤点；以若干个所述微损伤点为起绒点，对所述初始半导体衬底层进行制绒处理，以形成所述半导体衬底层。本发明通过在所述初始半导体衬底层表面上使用激光点阵列扫描得到大量排布均匀的微损伤点，可以作为制绒过程中均匀分布的起绒点，有利于形成小尺寸、均匀排布的减反射结构，从而降低半导体衬底层的反射率。