[发明专利]一种硅上凹槽无空洞有机介质填充方法在审
| 申请号： | 202210182477.0 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114566471A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈新鹏;李宝霞;刘鹏飞;霍瑞霞 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无空洞有机介质填充方法，针对硅晶片重构工艺中埋置芯片和填充凹槽之间形成的高深比窄凹槽结构，首先在硅晶片上制备凹槽结构，去除凹槽表面的化学污渍和颗粒残留，对硅晶片上凹槽结构采用纯氧等离子处理，将增粘剂平铺至凹槽结构表面，采用有机溶剂对凹槽结构表面进行预湿，使有机溶剂吸附在凹槽结构表面上；然后在制备有凹槽结构的硅晶片上旋涂有机介质；最后通过至少两次抽真空排除凹槽结构内的气泡，对有机介质进行固化。通过本方法能够显著的提高填充工艺的均匀性和稳定性，减少硅上凹槽结构内的介质填充空洞工艺风险，显著提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 凹槽 空洞 有机 介质 填充 方法 | ||
【主权项】：
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