[发明专利]一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构在审
| 申请号： | 202210178643.X | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114744041A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 贾云鹏;卢翔鸾;周新田;胡冬青;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种内置多晶硅异质结二极管的SiC沟槽型MOS器件结构涉及功率半导体领域，包括源极金属、漏极金属、衬底、N‑漂移区、P‑shielding区、隔离氧化层、栅氧化层、多晶硅源、多晶硅栅、电流扩展层、P‑base区、N‑source区、P‑plus区。衬底一端与漏极金属接触，另一端与漂移层接触，电流扩展层设置于N‑漂移区上，P‑base区设置于电流扩展层上，N‑source区与P‑plus区并列排列设置于P‑base区上，多个沟槽形成于基区并垂直延伸至漂移层中；沟槽左侧填充多晶硅栅，右侧填充多晶硅源，多晶硅栅的左侧、右侧和底部与栅氧化层接触，多晶硅源左侧与栅氧化层接触，多晶硅源与N‑漂移区接触形成异质结。隔离氧化层分别与源极金属及沟槽和N‑source区接触，沟槽与N‑source区接触。本发明提升了开关速度，改善反向恢复电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内置 异质结 二极管 sic 沟槽 mos 器件 结构 | ||
【主权项】：
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