[发明专利]扇出型晶圆级封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 202210157962.2 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114551258A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 郝兵;姚辉轩 | 申请（专利权）人： | 江苏卓胜微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/07;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 214123 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及嵌入式扇出型晶圆级芯片封装技术领域，特别涉及了一种扇出型晶圆级封装方法及封装结构，所述方法包括提供衬底；在衬底的第一表面上形成牺牲层；在牺牲层的表面上形成第一厚胶层，采用曝光显影工艺在第一厚胶层内形成凹槽；提供芯片，将芯片键合于凹槽内；芯片形成有焊盘的正面远离凹槽的底部；芯片的厚度大于凹槽的厚度；至少在第一厚胶层远离衬底的表面形成第二厚胶层，第二厚胶层覆盖芯片；在第二厚胶层上形成有第一开口，第一开口暴露出焊盘；在第二厚胶层远离第一厚胶层的表面形成重布线层，重布线层与焊盘相接触。上述封装方法在整个制备工艺中使用的是全厚度晶圆，可以达到减小晶圆翘曲的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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