[发明专利]红外发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210157090.X | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114551670A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 廖寅生;李森林;毕京锋 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种红外发光二极管外延结构及其制备方法，其中所述红外发光二极管外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层、应力释放层以及第二型半导体层，所述应力释放层为组分渐变的结构层。本发明通过在有源层与第二型半导体层之间插入组分渐变的应力释放层，能够增加发光二极管的发光效率，并且能够有效降低电压。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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