[发明专利]表面凹槽金属化热沉结构陶瓷管壳的制备方法及陶瓷管壳在审
| 申请号： | 202210148236.4 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114695129A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 唐晓赫;李仕俊;徐达;常青松;袁彪;郭旭光;张延青;郭建;贾岳珉;李超;张晓荷;宋作奇;王鹏贺;刘松涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/52;H01L23/053;H01L23/367 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张一 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种表面凹槽金属化热沉结构陶瓷管壳的制备方法及陶瓷管壳，属于陶瓷管壳制备技术领域，包括：在陶瓷基板的正面和/或背面刻蚀凹槽；在陶瓷基板的正面和背面气相沉积金属种子层；在金属种子层上粘附n层光敏材料；在光敏材料上进行预设图形的曝光和显影，形成线路图案；在显露出的金属种子层上面沉积金属形成金属化图形，在凹槽内沉积金属形成热沉金属块；通过物理打磨将金属化图形减薄；去除陶瓷基板上剩余的光敏材料；刻蚀露出的金属种子层在非图形区域上制备镍钯金金属层。本发明在接触芯片的陶瓷表面开槽，生长热沉金属块，热沉金属块将芯片产生的热量带走并散发出去，芯片周围温度较低，工作稳定性大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 凹槽 金属化 结构 陶瓷 管壳 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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