[发明专利]忆阻器及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 202210137256.1 | 申请日： | 2022-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN114497367A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张兆华;庄腾飞;林鼎 | 申请（专利权）人： | 汇春科技（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘桐亚 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区中国*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种忆阻器及其制备方法，涉及微电子的技术领域。本发明的忆阻器包括依次排列的底电极、电介质层、阻变层以及顶电极；其中的电介质层为非晶二氧化硅，阻变层为铜掺杂钛酸锶。本发明解决了忆阻器耐受性不足、稳定性低以及均一性不佳的技术问题，达到了具有优异的耐久性能、出色的开关性能、高的稳定性能以及出色的均匀性的特点，可以长时间稳定地工作而不会发生任何退化的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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