[发明专利]单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备在审
| 申请号： | 202210135660.5 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114381800A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州燎塬半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备。所述单晶氧化镓的制备方法包括：提供氧化镓粉体；将所述氧化镓粉体压成块体氧化镓；提供坩埚，所述坩埚内具有底部容置区和顶部开口区，所述底部容置区和所述顶部开口区间隔；将所述块体氧化镓放入所述底部容置区，在所述顶部开口区放置籽晶；将所述坩埚置于流动的保护气氛中，对所述坩埚进行加热，对所述顶部开口区施加的温度低于所述籽晶的分解温度，对所述底部容置区施加的温度高于所述块体氧化镓的分解温度。本发明加快了氧化镓分解为气体源的速度，进而提高了单晶氧化镓的持续生长速度，节约了能源，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制备 方法 用于 工艺设备 | ||
【主权项】：
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