[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202210132429.0 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN115224102A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 桥本良知;中谷公彦;早稻田崇之 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/31;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提供提高用膜对凹部内进行填埋时的填埋特性的技术。进行下述工序：(a)向表面设置有下述凹部的衬底供给前体物质，使构成上述前体物质的分子的分子结构的至少一部分吸附于上述凹部的第1材料的表面，在上述第1材料的表面形成成膜抑制层的工序，其中，所述凹部的上表面及侧面由含有第1元素的第1材料构成，所述凹部的底面由含有与上述第1元素不同的第2元素的第2材料构成；和(b)通过向在上述第1材料的表面形成有上述成膜抑制层的上述衬底供给成膜物质，从而使膜在上述凹部的上述第2材料的表面上生长的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 半导体器件 制造 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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