[发明专利]一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210130902.1 | 申请日： | 2022-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN114566573A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法，该芯片依次包括：蓝宝石衬底、AlN缓冲层、未掺杂AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层以及接触层；其中，多量子阱层包括多个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构包括AlxGa1‑xN阶层与AlyGa1‑yN垒层，其中，x、y为大于0的常数，并且在AlxGa1‑xN阶层与AlyGa1‑yN垒层之间设有InGaN层，以通过InGaN层调控单个周期的量子阱结构中AlGaN的应变状态。本发明能够解决现有技术中只能改善由内部全反射带来的光提取问题，无法从根本上解决深紫外LED量子阱发光区出射光的侧向传播问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 深紫 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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